半導體元件物理(英文班)
Semiconductor Device Physics
| 節 | 週一 | 週三 |
|---|---|---|
6 14:20–15:10 | 半導體元件物理(英文班) EDB27（光復） | |
7 15:30–16:20 | 半導體元件物理(英文班) EDB27（光復） 2 節連堂 | |
8 16:30–17:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
Topics: 1. semiconductor fundamentals, 2. p-n junction, 3. metal-oxide semiconductor structure, 4. metal-semiconductor junction, 5. MOS field-effect transistor, 6. bipolar junction transistor. Emphasis on physical understanding of device operation through energy band diagrams and short-channel MOSFET device design. 電子工程學系希望培育學生具備十項核心能力及三項基本素養(請參官網http://www.ee.nctu.edu.tw首頁之【學術研究】→【IEET】內容。 ※本課程將培育學生具備下述幾項核心能力: 1.1 數學、物理知識為主,化學、生物知識為輔 1.2 電子、資訊領域相關專業知識與能力 1.3 電子、資訊領域之實作技術,並具有發掘、分析、解決問題及創新的能力 1.4 科技寫作與簡報能力及培養持續學習的習慣與能力 3.1 瞭解國內外電子資訊產業脈動 3.2 具有通過全民英檢中高級初試之能力 3.3 瞭解多元文化、時事議題與工程技術對環境、社會及全球之影響 ※本課程將培育學生具備下述幾項基本素養: 1 養成學生具備電子工程基礎與專業知識,並配合實作,達到理論與實務相結合之目的。使學生具備推論、分析、創新及整合能力。 2 教育學生具備寬廣之知識、溝通技巧與團隊精神,以迎接不同生涯發展之挑戰。教育學生瞭解專業倫理及社會責任。 3 建立國際化學習環境,使學生洞察國內外社會與產業之脈動,以培養學生成為立足於全球之電子菁英與領袖人才。
Physics, Mathematics, and Electronics
無備註
TA:
Quiz 1: 25% Quiz 2: 25 % Final Exam: 25% Homework + Class interaction: 25%
教師未提供此項資料
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Course overview; Semiconductor Development; Crystal Structure and Electrical Conduction 9/10 9/12 |
| 第 2 週 | Crystal Structure and Electrical Conduction; Electron Statistics and Intrinsic Semiconductor 9/17 9/19 |
| 第 3 週 | 中秋節; Extrinsic Semiconductors 9/24 9/26 |
| 第 4 週 | Carrier Transport Phenomena 10/1 10/3 |
| 第 5 週 | Carrier Transport Phenomena; 國慶日 10/8 10/10 |
| 第 6 週 | Carrier generation and recombination 10/15 10/17 |
| 第 7 週 | Carrier Generation and Recombination; Mid-term exam 10/22 10/24 |
| 第 8 週 | Carrier Flow, Metal-Semiconductor Junction 10/29 10/31 |
| 第 9 週 | Metal-Semiconductor Junction 11/5 11/7 |
| 第 10 週 | p-n Junction 11/12 11/14 |
| 第 11 週 | p-n Junction 11/19 11/21 |
| 第 12 週 | The Si surface and the Metal-Oxide-Semiconductor Structure; Mid-Term 11/26 11/28 |
| 第 13 週 | Metal-Oxide-semiconductor Structure 12/3 12/5 |
| 第 14 週 | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 12/10 12/12 |
| 第 15 週 | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 12/17 12/19 |
| 第 16 週 | Bipolar Junction Transistor 12/24 12/26 |
| 第 17 週 | 彈性放假; Final Exam 12/31 1/2 |
Semiconductor Physics and Devices (4th Edition) Donald A Neamen McGraw Hill
- 地點
- Room 506, Engineering Building 4
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- 聯絡方式
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