高功率半導體元件物理與技術
Power Semiconductor Devices - Physics and Technology
| 節 | 週二 | 週五 |
|---|---|---|
2 09:00–09:50 | 高功率半導體元件物理與技術 ED101（光復） | |
7 15:30–16:20 | 高功率半導體元件物理與技術 ED101（光復） 2 節連堂 | |
8 16:30–17:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
介紹高功率半導體元件(600 V/10 A以上)的工作原理、元件結構、製程技術,讓已有半導體元件物理基礎的學生,進一步了解半導體元件在高功率場域的應用。
半導體元件物理或類似內容之課程至少一學期。 積體電路技術或類似內容之課程至少一學期。
無備註
投影片講解
作業20%、期中考40%、期末考40%
教師未提供此項資料
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Introduction-Historical perspective, Applications, and Industry trends 9/11(二) 9/14(五) |
| 第 2 週 | Basic Semiconductor Physics and Devices-Semiconductor properties, Schottky diode, p-n diode, JFET, BJT, Thyristor, MOSFET, etc. 9/18(二) 9/21(五) |
| 第 3 週 | Basic Semiconductor Physics and Devices-Semiconductor properties, Schottky diode, p-n diode, JFET, BJT, Thyristor, MOSFET, etc. 9/25(二) 9/28(五) |
| 第 4 週 | Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 10/2(二) 10/5(五) |
| 第 5 週 | Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 10/9(二) 10/12(五) |
| 第 6 週 | Power Rectifier- Schottky barrier diode (SBD), P-i-N diode, Junction barrier Schottky (JBS) diode, etc. 10/16(二) 10/19(五) |
| 第 7 週 | Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 10/23(二) 10/26(五) |
| 第 8 週 | Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 10/30(二) 11/2(五) |
| 第 9 週 | Mid-term Examination 11/6(二) 11/9(五) |
| 第 10 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 11/13(二) 11/16(五) |
| 第 11 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 11/20(二) 11/23(五) |
| 第 12 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 11/27 11/30 |
| 第 13 週 | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 12/4 12/7 |
| 第 14 週 | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 12/11 12/14 |
| 第 15 週 | SiC Process Technologies- Oxidation, Doping, Etching, Ohmic contact, etc. 12/18 12/21 |
| 第 16 週 | SiC Process Technologies- Oxidation, Doping, Etching, Ohmic contact, etc. 12/25 12/28 |
| 第 17 週 | SiC Process Technologies- Oxidation, Doping, Etching, Ohmic contact, etc. 1/1 1/4 |
| 第 18 週 | Final examination 1/8 1/11 |
Semiconductor Power Devices - Physics, Characteristics, Reliability, 2ed. by J. Lutz, H. Schlangenotto, U. Scheuermann, and R. De Doncker. Springer, 2018.
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