半導體材料分析
Materials Characterization for Semiconductors
| 節 | 週三 |
|---|---|
A 18:30–19:20 | 半導體材料分析 EF207（光復） 3 節連堂 |
B 19:30–20:20 | |
C 20:30–21:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
了解各種半導體材料分析技術之原理及其應用,包括電子顯微鏡、聚焦離子束法、微區化學組成分析、掃描探針顯微鏡、歐傑電子能譜分析、X光電子能譜分析、二次離子質譜分析等。
普通物理或普通化學 材料科學導論 電子材料或半導體製程
無備註
講義放置於e-campus
作業部份:20 考試部份:80 期中考與期末考各乙次 評量部份: 期中考與期末考各佔50%
電子顯微鏡
掃描式電子顯微鏡SEM 穿透式電子顯微鏡TEM 儀器構造、晶體與電子繞射、成像原理、試片製備
- 講授：
- 12
X光繞射
晶體與X光繞射 儀器構造 繞射圖形特徵與訊息
- 講授：
- 3
聚焦離子束FIB
離子束與濺射
- 講授：
- 3
微區化學成分分析
EDS WDS EELS 訊號產生與偵測、能譜特徵與訊息
- 講授：
- 6
歐傑電子能譜分析AES
儀器構造、訊號產生與偵測之原理、能譜特徵與訊息
- 講授：
- 5
X光電子能譜分析XPS(ESCA)
儀器構造、訊號產生與偵測之原理、能譜特徵與訊息
- 講授：
- 4
二次離子質譜分析SIMS
儀器構造、訊號產生與偵測之原理、質譜特徵與訊息
- 講授：
- 5
掃描探針顯微鏡SPM
掃描穿隧顯微鏡STM 原子力顯微鏡AFM 儀器構造、成像原理與應用
- 講授：
- 4
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | 課程簡介、電子顯微鏡基礎 3/4 |
| 第 2 週 | 電子與材料之物理相互作用 3/11 |
| 第 3 週 | SEM儀器構造、影像形成 3/18 |
| 第 4 週 | TEM儀器構造與試片 3/25 |
| 第 5 週 | TEM繞射與影像對比 4/1 |
| 第 6 週 | TEM影像對比 4/8 |
| 第 7 週 | 微區化學組成分析 EDS & EELS 4/15 |
| 第 8 週 | Focused Ion Beam X光繞射 4/22 |
| 第 9 週 | Focused Ion Beam X光繞射 4/29 |
| 第 10 週 | 期中考 5/6 |
| 第 11 週 | 表面科學基礎 5/13 |
| 第 12 週 | Auger電子能譜分析(AES)及X光電子能譜分析(XPS) 5/20 |
| 第 13 週 | Auger電子能譜分析(AES)及X光電子能譜分析(XPS) 5/27 |
| 第 14 週 | Auger電子能譜分析(AES)及X光電子能譜分析(XPS) 6/3 |
| 第 15 週 | SIMS分析 6/10 |
| 第 16 週 | SIMS分析 6/17 |
| 第 17 週 | 掃描探針顯微鏡 6/24 |
| 第 18 週 | 期末考 7/1 |
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