半導體元件與奈米電晶體
From Fundamentals of Semiconductor Devices to Nanometer-Scale CMOS Transistors
| 節 | 週三 | 週五 |
|---|---|---|
3 10:10–11:00 | 半導體元件與奈米電晶體 2 節連堂 | |
4 11:10–12:00 | 半導體元件與奈米電晶體 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
課程內容包含固態元件、p-n接面、金氧半電容元件、場效電晶體、雙極性電晶體等等之元件物理。讓學生對場效電晶體及雙極性電晶體微縮原理 (奈米層級) 和其高頻特性在數位和類比電路的應用能具備完整的認知。在絕緣層上矽(silicon-on-insulator, SOI)、鰭式電晶體 (FinFET)、無礙傳輸場效電晶體(ballistic MOSFET)、非漸進通道模型 (non-GCA model)、記憶體等先進元件及電路概念方面,也能讓學生能有完整的了解。培養學生能學習以上概念,對現今電腦及通訊裝置中數以十億計的積體電路晶片能有更深入的了解。
近代物理
無備註
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作業:自習自評+公版答案 成績:兩次實體期中考、一次實體期末考。配合台大陶教授,同步、同方式進行。 the exam/office hour will be held in MIRC 601
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| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Band diagram, Fermi level, Poisson’s eq 9/29 10/1 |
| 第 2 週 | Carrier transport, Generation and Recombination 10/6 10/8 |
| 第 3 週 | P-n junction, MOS capacitor 10/13 10/15 |
| 第 4 週 | Schottky diodes, High field effects 10/20 10/22 |
| 第 5 週 | Midterm Exam 1 10/27 10/29 |
| 第 6 週 | MOSFETs, non-GCA model 11/3 11/5 |
| 第 7 週 | MOSFET scale length theory 11/10 11/12 |
| 第 8 週 | Midterm Exam 2 12/1 12/3 |
| 第 9 週 | CMOS scaling and design 12/8 12/10 |
| 第 10 週 | Ballistic MOSFET and Scattering theory 12/15 12/17 |
| 第 11 週 | CMOS performance factors 12/22 12/24 |
| 第 12 週 | Limit of bulk CMOS scaling 12/29 12/31 |
| 第 13 週 | Final-term Exam 1/5 1/7 |
| 第 14 週 | Silicon on insulator, Double-gate, and Nanowire MOSFET 1/12 1/14 |
| 第 15 週 | Memory: SRAM, DRAM, NVRAM 1/19 1/21 |
| 第 16 週 | 彈性授課 1/26 1/28 |
Fundamentals of Modern VLSI Devices, Yuan Taur and Tak H. Ning,2nd edition, Cambridge University Press, 2013.
- 地點
- the exam/office hour will be held in MIRC 601
- 時間
- 導師:吳添立教授 課程解惑、討論時段:12:20 to 1:10pm Fridays, ”與吳導師+孫老師有約“。
- 聯絡方式
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