2 項進行中

115-1 選課時程

進行中

  • 初選第一階段 6/15 – 6/18
  • 初選第二階段 6/22 – 6/25
  • 校際選修 進行中 8/24 – 9/18
  • 初選第三階段 8/31 – 9/3
  • 開學後加退選 進行中 9/7 – 9/21
  • 逾期加退選 9/21 – 9/24
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高功率半導體元件物理與技術

Power Semiconductor Devices - Physics and Technology

學期
110-2
學分
0 學分
當期課號
5031
永久課號
IEE5674
開課單位
電子研究所
授課教師
崔秉鉞
校區
光復
類別
選修
上課時間表
週二
週五
2
09:00–09:50
高功率半導體元件物理與技術
ED101(光復)
7
15:30–16:20
高功率半導體元件物理與技術
ED101(光復)
2 節連堂
8
16:30–17:20

* 根據陽明交大上課時間表所列

概述

介紹Si以及SiC高功率半導體元件(600 V/10 A以上)的工作原理,讓已有半導體元件物理基礎的學生,進一步了解高功率半導體元件的原理與製程技術。

先修科目

半導體元件物理或類似內容之課程至少一學期。

備註

無備註

教學方式

投影片講解

評分方式

期中考20%、期中報告30%、期末考20%、期末報告30%

課程大綱

教師未提供此項資料

週次計畫
週次主題
第 1 週

Introduction-Historical perspective, Applications, and Industry trends

第 2 週

Semiconductor properties related to high power applications

第 3 週

Semiconductor properties related to high power applications

第 4 週

Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc.

第 5 週

Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc.

第 6 週

Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc.

第 7 週

Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc.

第 8 週

Mid-term examination & report

第 9 週

Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc.

第 10 週

Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc.

第 11 週

Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc.

第 12 週

Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc.

第 13 週

Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc.

第 14 週

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc.

第 15 週

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc.

第 16 週

Thyristor, etc.

第 17 週

Final examination

第 18 週

Final report

教科書

"Fundamentals of Power Semiconductor Devices" by B. Jayant Baliga, Springer, 2008.

Office Hours
地點
另行約定。
時間
另行約定。
聯絡方式
E-mail: bytsui@nycu.edu.tw Tel: 03-5131570