高功率半導體元件物理與技術
Power Semiconductor Devices - Physics and Technology
| 節 | 週二 | 週五 |
|---|---|---|
2 09:00–09:50 | 高功率半導體元件物理與技術 ED101（光復） | |
7 15:30–16:20 | 高功率半導體元件物理與技術 ED101（光復） 2 節連堂 | |
8 16:30–17:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
介紹Si以及SiC高功率半導體元件(600 V/10 A以上)的工作原理,讓已有半導體元件物理基礎的學生,進一步了解高功率半導體元件的原理與製程技術。
半導體元件物理或類似內容之課程至少一學期。
無備註
投影片講解
期中考20%、期中報告30%、期末考20%、期末報告30%
教師未提供此項資料
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Introduction-Historical perspective, Applications, and Industry trends 2023-02-14(二),2023-02-17(五) |
| 第 2 週 | Semiconductor properties related to high power applications 2023-02-21(二),2023-02-24(五) |
| 第 3 週 | Semiconductor properties related to high power applications 2023-02-28(二),2023-03-03(五) |
| 第 4 週 | Semiconductor properties related to high power applications Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 2023-03-07(二),2023-03-10(五) |
| 第 5 週 | Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 2023-03-14(二),2023-03-17(五) |
| 第 6 週 | Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. Power Rectifier - PiN & SBD 2023-03-21(二),2023-03-24(五) |
| 第 7 週 | Power Rectifier - PiN & SBD 2023-03-28(二),2023-03-31(五) |
| 第 8 週 | Power Rectifier - PiN & SBD 2023-04-04(二),2023-04-07(五) |
| 第 9 週 | Mid-term examination & report 2023-04-11(二),2023-04-14(五) |
| 第 10 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-04-18(二),2023-04-21(五) |
| 第 11 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-04-25(二),2023-04-28(五) |
| 第 12 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-05-02(二),2023-05-05(五) |
| 第 13 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-05-09(二),2023-05-12(五) |
| 第 14 週 | Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-05-16(二),2023-05-19(五) |
| 第 15 週 | Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-05-23(二),2023-05-26(五) |
| 第 16 週 | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-05-30(二),2023-06-02(五) |
| 第 17 週 | Final examination 2023-06-06(二),2023-06-09(五) |
| 第 18 週 | Final report 2023-06-13(二),2023-06-16(五) |
"Fundamentals of Power Semiconductor Devices" by B. Jayant Baliga, Springer, 2008.
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