高功率半導體元件物理

Power Semiconductor Device Physics

學期

112-1

學分

0 學分

當期課號

535239

永久課號

EEIE30078

開課單位

電子研究所

授課教師

崔秉鉞

校區

光復

類別

選修

上課時間表

節	週二	週五
2 09:00–09:50		高功率半導體元件物理 ED301（光復）
7 15:30–16:20	高功率半導體元件物理 ED301（光復） 2 節連堂
8 16:30–17:20	高功率半導體元件物理 ED301（光復） 2 節連堂

* 根據陽明交大上課時間表所列

概述

介紹Si以及SiC高功率半導體元件的工作原理,讓已有半導體元件物理基礎的學生,進一步了解高功率半導體元件的結構、工作原理、設計原則。

先修科目

半導體元件物理或類似內容之課程至少一學期。

備註

無備註

教學方式

投影片講解

評分方式

期中考25%、期中報告25%、期末考25%、期末報告25%

課程大綱

教師未提供此項資料

週次計畫

週次	主題
第 1 週	Introduction to SiC, Power System, and Power Devices 2023-09-12(二),2023-09-15(五)
第 2 週	Semiconductor properties related to high power applications 2023-09-19(二),2023-09-22(五)
第 3 週	Semiconductor properties related to high power applications 2023-09-26(二),2023-09-29(五)
第 4 週	Semiconductor properties related to high power applicationsBreakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 2023-10-03(二),2023-10-06(五)
第 5 週	Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 2023-10-10(二),2023-10-13(五)
第 6 週	Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc.Power Rectifier - PiN &amp SBD 2023-10-17(二),2023-10-20(五)
第 7 週	Power Rectifier - PiN & SBD 2023-10-24(二),2023-10-27(五)
第 8 週	Power Rectifier - PiN & SBD 2023-10-31(二),2023-11-03(五)
第 9 週	Mid-term examination & report 2023-11-07(二),2023-11-10(五)
第 10 週	Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-11-14(二),2023-11-17(五)
第 11 週	Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-11-21(二),2023-11-24(五)
第 12 週	Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-11-28(二),2023-12-01(五)
第 13 週	Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-12-05(二),2023-12-08(五)
第 14 週	Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-12-12(二),2023-12-15(五)
第 15 週	Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-12-19(二),2023-12-22(五)
第 16 週	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2023-12-26(二),2023-12-29(五)
第 17 週	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. Final examination 2024-01-02(二),2024-01-05(五)
第 18 週	Final report 2024-01-09(二),2024-01-12(五)

教科書

"Fundamentals of Power Semiconductor Devices" by B. Jayant Baliga, Springer, 2008.

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