2 項進行中

115-1 選課時程

進行中

  • 初選第一階段 6/15 – 6/18
  • 初選第二階段 6/22 – 6/25
  • 校際選修 進行中 8/24 – 9/18
  • 初選第三階段 8/31 – 9/3
  • 開學後加退選 進行中 9/7 – 9/21
  • 逾期加退選 9/21 – 9/24
選課資源

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半導體物理及元件(一)

Semiconductor Physics and Devices (I)

學期
112-2
學分
0 學分
當期課號
535206
永久課號
EEIE30010
開課單位
電子研究所
授課教師
李佩雯
校區
光復
類別
選修
上課時間表
週二
週五
2
09:00–09:50
半導體物理及元件(一)
ED116(光復)
5
13:20–14:10
半導體物理及元件(一)
ED116(光復)
2 節連堂
6
14:20–15:10

* 根據陽明交大上課時間表所列

概述

提供學生半導體內電荷傳輸特性及元件操作原理(To provide students with a sound understanding of carrier transport properties in semiconductors and device operational principles)

先修科目

大學部固態電子學(undergraduate-level Solid-State Electronics) 或是半導體元件物理

備註

無備註

教學方式

教師未提供此項資料

評分方式

Homework: 30% Midterm Exam 1: 20% Midterm Exam 2: 25% Final Exam: 25%

課程大綱

教師未提供此項資料

週次計畫
週次主題
第 1 週

Crystal Structures and Semiconductor Band-Structures

2024-02-20(二),2024-02-23(五)
第 2 週

Energy Band Theory ( Extrapolation to 3Ds, Energy bands, band gap energy)

2024-02-27(二),2024-03-01(五)
第 3 週

Equilibrium Carrier Statistics: 1. Density of state 2. Carrier statistics- Fermi function, 3. nuances of doping,

2024-03-05(二),2024-03-08(五)
第 4 週

4. Equilibrium concentration relationships, Concentration and EF calculations) Carrier Transport: 1. Drift 2. Diffusion

2024-03-12(二),2024-03-15(五)
第 5 週

Carrier Transport: 3. Continuity equations Recombination-Generation Processes 1. Recombination-Generation statistics 2. Surface Recombination-generation

2024-03-19(二),2024-03-22(五)
第 6 週

Recombination-Generation Processes 3. R-G information Midterm I

2024-03-26(二),2024-03-29(五)
第 7 週

PN Junctions 1. band diagrams Spring Break

2024-04-02(二),2024-04-05(五)
第 8 週

PN Junctions 2. dc analysis 3. carrier tunneling

2024-04-09(二),2024-04-12(五)
第 9 週

Metal-Semiconductor System 1. Ohmic Contact. 2. Schottky Contact.

2024-04-16(二),2024-04-19(五)
第 10 週

MOS Capacitors 1. Band diagram 2. dc C-V characteristics

2024-04-23(二),2024-04-26(五)
第 11 週

MOS diodes 2. frequency-dependent C-V characteristics Midterm II

2024-04-30(二),2024-05-03(五)
第 12 週

MOS diodes: I-V characteristics Long-channel MOSFET surface modulation: I-V under gate and drain modulation

2024-05-07(二),2024-05-10(五)
第 13 週

MOSFET: Important parameter Short-channel MOSFETs: DIBL, punch through, Hot carrier, GIDL,..

2024-05-14(二),2024-05-17(五)
第 14 週

Advanced MOSFETs

2024-05-21(二),2024-05-24(五)
第 15 週

DC BJT operational principles, Hetero-junction bipolar transistors.

2024-05-28(二),2024-05-31(五)
第 16 週

Transient BJT operational principles, Hetero-junction bipolar transistors.

2024-06-04(二),2024-06-07(五)
第 17 週

Final Exam

2024-06-11(二),2024-06-14(五)
第 18 週

Review

2024-06-18(二),2024-06-21(五)
教科書

“Advanced Semiconductor Fundamentals” By Robert F. Pierret 1989 “Semiconductor Physics and Devices” By Donald A. Neamen

Office Hours
地點
工四館(ED617)
時間
Tues 10:00-11:00/Fri 09:00-10:00am (please let me know you are coming) or by appointment or if my door is open, stop in and say hi!
聯絡方式
If you need me and cannot find me- email me!