積體電路技術(二)
Integrated Circuit Technology (II)
| 節 | 週一 | 週三 |
|---|---|---|
2 09:00–09:50 | 積體電路技術(二) ED101（光復） | |
3 10:10–11:00 | 積體電路技術(二) ED101（光復） 2 節連堂 | |
4 11:10–12:00 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
銜接積體電路技術(一),完整講述積體電路之所有單元製程,接著介紹重要之製程模組,包括isolation, salicide, 等,再以完整的CMOS process flow串連各製程單元及模組,並介紹設計規範的概念。 積體電路技術(一)、(二)將可使學生對半世紀來的積體電路技術有完整且深入的了解,並知道如何整合應用,製作出符合規範的產品。
建議修過積體電路技術(一)或其它半導體單元製程相關課程至少一學期。
無備註
教師未提供此項資料
期中考50% 期末考50%
教師未提供此項資料
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Thin Film Deposition 2024-02-19(一),2024-02-21(三) |
| 第 2 週 | Thin Film Deposition 2024-02-26(一),2024-02-28(三) |
| 第 3 週 | Electrochemical Deposition 2024-03-04(一),2024-03-06(三) |
| 第 4 週 | Electrochemical Deposition 2024-03-11(一),2024-03-13(三) |
| 第 5 週 | Dopant Diffusion and Ion Implantation 2024-03-18(一),2024-03-20(三) |
| 第 6 週 | Dopant Diffusion and Ion Implantation 2024-03-25(一),2024-03-27(三) |
| 第 7 週 | Chemical Mechanical Polish 2024-04-01(一),2024-04-03(三) |
| 第 8 週 | Chemical Mechanical Polish 2024-04-08(一),2024-04-10(三) |
| 第 9 週 | Mid-term examination Isolation Technology 2024-04-15(一),2024-04-17(三) |
| 第 10 週 | Isolation Technology Silicide Technology 2024-04-22(一),2024-04-24(三) |
| 第 11 週 | Silicide Technology CMOS Front-end Process Flow 2024-04-29(一),2024-05-01(三) |
| 第 12 週 | CMOS Front-end Process Flow 2024-05-06(一),2024-05-08(三) |
| 第 13 週 | CMOS Front-end Process Flow Multi-level Interconnect Technology 2024-05-13(一),2024-05-15(三) |
| 第 14 週 | Multi-level Interconnect Technology 2024-05-20(一),2024-05-22(三) |
| 第 15 週 | Multi-level Interconnect Technology Design Rules 2024-05-27(一),2024-05-29(三) |
| 第 16 週 | Design Rules 2024-06-03(一),2024-06-05(三) |
| 第 17 週 | Design Rules Final Examination 2024-06-10(一),2024-06-12(三) |
教科書:自編講義。 參考書: J. D. Plummer, M. D. Deal, and P. B. Griffin, “Silicon VLSI Technology-Fundamentals, Practice, and Modeling”, 2000, Prentice Hall. C. Y. Chang and S. M. Sze, “ULSI Technology”, McGraw Hill, 1996.
- 地點
- 另行約定
- 時間
- 另行約定
- 聯絡方式
- bytsui@nycu.edu.tw 03-5131570