高功率半導體元件物理
Power Semiconductor Device Physics
| 節 | 週二 | 週五 |
|---|---|---|
2 09:00–09:50 | 高功率半導體元件物理 ED301（光復） | |
7 15:30–16:20 | 高功率半導體元件物理 ED301（光復） 2 節連堂 | |
8 16:30–17:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
介紹Si以及SiC高功率半導體元件的工作原理,讓已有半導體元件物理基礎的學生,進一步了解高功率半導體元件的結構、工作原理、設計原則。
半導體元件物理或類似內容之課程至少一學期。
無備註
投影片講解
期中考25%、期中報告25%、期末考25%、期末報告25%
Introduction to SiC, Power System, and Power Devices
- 講授：
- 3
Semiconductor properties related to high power applications
- 講授：
- 6
Breakdown Voltage
- 講授：
- 6
Power Rectifier
- 講授：
- 8
Power MOSFETs
- 講授：
- 15
Power Bipolar Junction Transistors
- 講授：
- 4
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
- 講授：
- 4
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Introduction to SiC, Power System, and Power Devices Semiconductor properties related to high power applications 2024-09-03(二),2024-09-06(五) |
| 第 2 週 | Semiconductor properties related to high power applications 2024-09-10(二),2024-09-13(五) |
| 第 3 週 | Semiconductor properties related to high power applications Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 2024-09-17(二),2024-09-20(五) |
| 第 4 週 | Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 2024-09-24(二),2024-09-27(五) |
| 第 5 週 | Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 2024-10-01(二),2024-10-04(五) |
| 第 6 週 | Rectifier - PiN & SBD 2024-10-08(二),2024-10-11(五) |
| 第 7 週 | Power Rectifier - PiN & SBD 2024-10-15(二),2024-10-18(五) |
| 第 8 週 | Power Rectifier - PiN & SBD 2024-10-22(二),2024-10-25(五) |
| 第 9 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2024-10-29(二),2024-11-01(五) |
| 第 10 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2024-11-05(二),2024-11-08(五) |
| 第 11 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2024-11-12(二),2024-11-15(五) |
| 第 12 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2024-11-19(二),2024-11-22(五) |
| 第 13 週 | Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2024-11-26(二),2024-11-29(五) |
| 第 14 週 | Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2024-12-03(二),2024-12-06(五) |
| 第 15 週 | Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2024-12-10(二),2024-12-13(五) |
| 第 16 週 | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2024-12-17(二),2024-12-20(五) |
"Fundamentals of Power Semiconductor Devices" by B. Jayant Baliga, Springer, 2008.
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