半導體元件物理(一)
Semiconductor Device Physics I
| 節 | 週四 |
|---|---|
A 18:30–19:20 | 半導體元件物理(一) ED219（光復） 3 節連堂 |
B 19:30–20:20 | |
C 20:30–21:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
課程概述:本課程旨在講授半導體元件基本原理,學習半導體元件工作原理與特性。課程並簡介這些元件之技術與應用。此為電機資訊學院跨領域研究之基礎。 課程目標: 一、了解半導體元件之物理與基本觀念。二、學習二極體、金屬半導體接面、金屬絕緣體半導體電容、雙極性接面電晶體、金屬氧化物半導體場效應電晶體之基本原理與特性。三、了解積體電路元件相關應用。
電子學、微積分、普通物理
無備註
資訊以email或學校new e3平台通知。 老師以投影片、黑板講授課程內容 。 助教解說各章演習題或課程補充資料。
平時表現:40% 期中考:35% 期末考:35%
簡介
簡介元件發展與背景、半導體觀念以及光電特性。
- 講授：
- 6
二極體
解說pn接面的工作原理、交直流特性分析。
- 講授：
- 9
金屬半導體接面(MS)、金屬絕緣體半導體(MIS)電容
簡介MS接面位障、載子傳輸原理、歐姆接觸、MIS電容特性、矽MOS電容、量子侷限效應。
- 講授：
- 9
雙極性接面電晶體(BJT)
簡介BJT工作原理、等校電路模型、高頻特性、異質接面BJT、自熱效應。
- 講授：
- 9
金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)
講授MOSFET特性、通道摻雜、短通道效應、元件微縮原理、元件結構、等校電路模型與電路應用、負電容場效應電晶體、穿隧場效應電晶體、單電子場效應電晶體。
- 講授：
- 15
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | 2024-09-05(四) |
| 第 2 週 | 2024-09-12(四) |
| 第 3 週 | 2024-09-19(四) |
| 第 4 週 | 2024-09-26(四) |
| 第 5 週 | 2024-10-03(四) |
| 第 6 週 | 2024-10-10(四) |
| 第 7 週 | 2024-10-17(四) |
| 第 8 週 | 2024-10-24(四) |
| 第 9 週 | 2024-10-31(四) |
| 第 10 週 | 2024-11-07(四) |
| 第 11 週 | 2024-11-14(四) |
| 第 12 週 | 2024-11-21(四) |
| 第 13 週 | 2024-11-28(四) |
| 第 14 週 | 2024-12-05(四) |
| 第 15 週 | 2024-12-12(四) |
| 第 16 週 | 2024-12-19(四) |
(1) Simon M. Sze, Yiming Li, and Kwok K. Ng, “Physics of Semiconductor Devices, 4th Edition,” Wiley, 2021. (2) Simon M Sze and Ming-Kwei Lee, Semiconductor Devices Physics: and Technology, Third Edition, Wiley, 2013.
- 地點
- 老師辦公室:電資812
- 時間
- 每週三下午或以email另約時間討論
- 聯絡方式
- 老師email: ymli@nycu.edu.tw