積體電路技術(二)
Integrated Circuit Technology (II)
| 節 | 週一 | 週三 |
|---|---|---|
2 09:00–09:50 | 積體電路技術(二) ED103（光復） | |
3 10:10–11:00 | 積體電路技術(二) ED103（光復） 2 節連堂 | |
4 11:10–12:00 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
銜接積體電路技術(一),完整講述積體電路之所有單元製程,接著介紹重要之製程模組,包括isolation, salicide, 等,再以完整的CMOS process flow串連各製程單元及模組,並介紹設計規範的概念。 積體電路技術(一)、(二)將可使學生對半世紀來的積體電路技術有完整且深入的了解,並知道如何整合應用,製作出符合規範的產品。
建議修過積體電路技術(一)或其它半導體製程相關課程至少一學期。
無備註
教師未提供此項資料
期中考50% 期末考50%
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| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Thin Film Deposition 2025-02-17(一),2025-02-19(三) |
| 第 2 週 | Thin Film Deposition 2025-02-24(一),2025-02-26(三) |
| 第 3 週 | Electrochemical Deposition 2025-03-03(一),2025-03-05(三) |
| 第 4 週 | Electrochemical Deposition 2025-03-10(一),2025-03-12(三) |
| 第 5 週 | Dopant Diffusion and Ion Implantation 2025-03-17(一),2025-03-19(三) |
| 第 6 週 | Dopant Diffusion and Ion Implantation 2025-03-24(一),2025-03-26(三) |
| 第 7 週 | Chemical Mechanical Polish 2025-03-31(一),2025-04-02(三) |
| 第 8 週 | Chemical Mechanical Polish & Mid-term examination 2025-04-07(一),2025-04-09(三) |
| 第 9 週 | Isolation Technology 2025-04-14(一),2025-04-16(三) |
| 第 10 週 | Silicide Technology 2025-04-21(一),2025-04-23(三) |
| 第 11 週 | CMOS Front-end Process Flow 2025-04-28(一),2025-04-30(三) |
| 第 12 週 | CMOS Front-end Process Flow 2025-05-05(一),2025-05-07(三) |
| 第 13 週 | Multi-level Interconnect Technology 2025-05-12(一),2025-05-14(三) |
| 第 14 週 | Multi-level Interconnect Technology 2025-05-19(一),2025-05-21(三) |
| 第 15 週 | Design Rules 2025-05-26(一),2025-05-28(三) |
| 第 16 週 | Design Rules & Final Examination 2025-06-02(一),2025-06-04(三) |
教科書:自編講義。 參考書: J. D. Plummer, M. D. Deal, and P. B. Griffin, “Silicon VLSI Technology-Fundamentals, Practice, and Modeling”, 2000, Prentice Hall. C. Y. Chang and S. M. Sze, “ULSI Technology”, McGraw Hill, 1996.
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