半導體元件物理(二)
Semiconductor Device Physics II
| 節 | 週五 |
|---|---|
9 17:30–18:20 | 半導體元件物理(二) 3 節連堂 |
A 18:30–19:20 | |
B 19:30–20:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
講授半導體元件物理,包括元件技術、物理觀念、傳輸方程式與邊界條件、解析公式推導。半導體元件物理(二)內容包括雙極性接面電晶體、場效應電晶體、 記憶體元件、高電子遷移率電晶體、穿隧元件、等。
半導體元件物理、半導體元件物理(一)
無備註
實體與線上混合教學 修課同學需要備課本
作業:30% 考試:70%
課程簡介
簡介課程綱要與評分標準並銜接上學期半導體元件物理的課程內容
- 講授：
- 3 小時
MOS與MOSFETs
介紹金屬氧化物半導體以及金屬氧化物半導體場效應電晶體的元件特性、結構、電路應用與衍生元件,如:負電容場效電晶體、穿隧電晶體、與單電子電晶體等。
- 講授：
- 12 小時
Nonvolatile Memory Devices
介紹何謂非揮發性電晶體與浮閘的概念;簡介多層單元、三維結構以及記憶體的應用與面臨的挑戰。
- 講授：
- 6 小時
MS Devices, JFETs, MESFETs, and MODFETs
金屬半導體接面元件。簡介接面電晶體、金屬半導體電晶體、以及高電子遷移率電晶體的基本結構、工作原理及其特性。
- 講授：
- 6 小時
Tunnel Devices
介紹穿隧元件的基本原理與應用,包括穿隧二極體的特性與工作機制。
- 講授：
- 6 小時
IMPATT Diodes, TED, and RST Devices
探討 IMPATT 二極體、轉移電子元件和實空間轉移元件的工作原理與應用。
- 講授：
- 6 小時
Thyristors and Power Devices
介紹Thyristors及其他功率元件的特性與應用。
- 講授：
- 6 小時
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | 本週上課:meet.google.com/skx-igsw-vmy 2025-02-21(五) |
| 第 2 週 | 2025-02-28(五) |
| 第 3 週 | 2025-03-07(五) |
| 第 4 週 | 2025-03-14(五) |
| 第 5 週 | 2025-03-21(五) |
| 第 6 週 | 2025-03-28(五) |
| 第 7 週 | 2025-04-04(五) |
| 第 8 週 | 2025-04-11(五) |
| 第 9 週 | 2025-04-18(五) |
| 第 10 週 | 2025-04-25(五) |
| 第 11 週 | 2025-05-02(五) |
| 第 12 週 | 2025-05-09(五) |
| 第 13 週 | 2025-05-16(五) |
| 第 14 週 | 2025-05-23(五) |
| 第 15 週 | 2025-05-30(五) |
| 第 16 週 | 2025-06-06(五) |
Textbook and references: 1. Physics of semiconductor devices, 4th Ed. Authors: Simon M Sze, Yiming Li, and Kwok K Ng Publication date: 2021/3/19 Publisher: John wiley & sons ---------------------------------- 2. Semiconductor Devices: Physics and Technology, 3rd Ed. Authors: Simon M. Sze and Ming-Kwei Lee Publication date: 2012/5 Publisher: John wiley & sons ---------------------------------- 3. The teacher will select conference or journal papers related to the course content for discussion in class.
- 地點
- 老師辦公室,電資大樓812室
- 時間
- 每週三下午一點半
- 聯絡方式
- 課程line群組、老師電話或電子郵件