高功率半導體元件物理

Power Semiconductor Device Physics

學期

114-1

學分

0 學分

當期課號

535205

永久課號

EEIE30078

開課單位

電子研究所

授課教師

崔秉鉞

校區

光復

類別

選修

上課時間表

節	週二	週四
2 09:00–09:50		高功率半導體元件物理 ED103（光復）
7 15:30–16:20	高功率半導體元件物理 ED103（光復） 2 節連堂
8 16:30–17:20	高功率半導體元件物理 ED103（光復） 2 節連堂

* 根據陽明交大上課時間表所列

概述

介紹Si以及SiC高功率半導體元件的工作原理,讓已有半導體元件物理基礎的學生,進一步了解高功率半導體元件的結構、工作原理、設計原則。

先修科目

半導體元件物理或類似內容之課程至少一學期。

備註

無備註

教學方式

投影片講解

評分方式

期中考25%、期中報告25%、期末考25%、期末報告25%

課程大綱

Introduction to SiC, Power System, and Power Devices

講授：

3
Semiconductor properties related to high power applications

講授：

6
Breakdown Voltage

講授：

6
Power Rectifier

講授：

8
Power MOSFETs

講授：

15
Power Bipolar Junction Transistors

講授：

4
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

講授：

4

週次計畫

週次	主題
第 1 週	Introduction to SiC, Power System, and Power Devices Semiconductor properties related to high power applications 2025-09-02(二),2025-09-04(四)
第 2 週	Semiconductor properties related to high power applications 2025-09-09(二),2025-09-11(四)
第 3 週	Semiconductor properties related to high power applications Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 2025-09-16(二),2025-09-18(四)
第 4 週	Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 2025-09-23(二),2025-09-25(四)
第 5 週	Breakdown Voltage- Avalanche breakdown, edge termination, RESURF, Super junction, etc. 2025-09-30(二),2025-10-02(四)
第 6 週	Rectifier - PiN &amp SBD 2025-10-07(二),2025-10-09(四)
第 7 週	Power Rectifier - PiN &amp SBD 2025-10-14(二),2025-10-16(四)
第 8 週	Power Rectifier - PiN &amp SBD 2025-10-21(二),2025-10-23(四)
第 9 週	Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2025-10-28(二),2025-10-30(四)
第 10 週	Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2025-11-04(二),2025-11-06(四)
第 11 週	Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2025-11-11(二),2025-11-13(四)
第 12 週	Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2025-11-18(二),2025-11-20(四)
第 13 週	Power MOSFET- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2025-11-25(二),2025-11-27(四)
第 14 週	Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2025-12-02(二),2025-12-04(四)
第 15 週	Power Bipolar Junction Transistors- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2025-12-09(二),2025-12-11(四)
第 16 週	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)- Static blocking, Forward conduction, Dynamic switching, Device Structure, etc. 2025-12-16(二),2025-12-18(四)

教科書

"Fundamentals of Power Semiconductor Devices" by B. Jayant Baliga, Springer, 2008.

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