2 項進行中

115-1 選課時程

進行中

  • 初選第一階段 6/15 – 6/18
  • 初選第二階段 6/22 – 6/25
  • 校際選修 進行中 8/24 – 9/18
  • 初選第三階段 8/31 – 9/3
  • 開學後加退選 進行中 9/7 – 9/21
  • 逾期加退選 9/21 – 9/24
選課資源

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半導體物理及元件(一)

Semiconductor Physics and Devices (I)

學期
114-2
學分
3 學分
當期課號
535206
永久課號
EEIE30010
開課單位
電子研究所、智能系統研究所
授課教師
李佩雯
校區
光復
類別
選修
上課時間表
週二
週五
2
09:00–09:50
半導體物理及元件(一)
ED116(光復)
5
13:20–14:10
半導體物理及元件(一)
ED116(光復)
2 節連堂
6
14:20–15:10

* 根據陽明交大上課時間表所列

概述

提供學生半導體內電荷傳輸特性及元件操作原理(To provide students with a sound understanding of carrier transport properties in semiconductors and device operational principles)

先修科目

大學部固態電子學(undergraduate-level Solid-State Electronics) 或是半導體元件物理

備註

無備註

教學方式

教師未提供此項資料

評分方式

Homework: 30% Midterm Exam 1: 20% Midterm Exam 2: 25% Final Exam: 25%

課程大綱

教師未提供此項資料

週次計畫
週次主題
第 1 週

Crystal Structures and Semiconductor Band-Structures 2/27 國定補假

2026-02-24(二),2026-02-27(五)
第 2 週

3/2 教師參加國際會議,以錄影教學行之 Energy Band Theory ( Extrapolation to 3Ds, Energy bands, band gap energy)

2026-03-03(二),2026-03-06(五)
第 3 週

Equilibrium Carrier Statistics: 1. Density of state 2. Carrier statistics- Fermi function, 3. nuances of doping,

2026-03-10(二),2026-03-13(五)
第 4 週

4. Equilibrium concentration relationships, Concentration and EF calculations) Carrier Transport: 1. Drift 2. Diffusion

2026-03-17(二),2026-03-20(五)
第 5 週

Carrier Transport: 3. Continuity equations Recombination-Generation Processes 1. Recombination-Generation statistics 2. Surface Recombination-generation Recombination-Generation Processes 3. R-G information

2026-03-24(二),2026-03-27(五)
第 6 週

3/31 Midterm I

2026-03-31(二),2026-04-03(五)
第 7 週

PN Junctions 1. band diagrams 2. dc analysis

2026-04-07(二),2026-04-10(五)
第 8 週

PN Junctions 3. ac analysis 4. carrier tunneling

2026-04-14(二),2026-04-17(五)
第 9 週

Metal-Semiconductor System 1. Ohmic Contact. 2. Schottky Contact.

2026-04-21(二),2026-04-24(五)
第 10 週

4/28 Midterm II MOS Capacitors 1. Band diagram 2. dc C-V characteristics

2026-04-28(二),2026-05-01(五)
第 11 週

MOS diodes 2. frequency-dependent C-V characteristics 3. I-V characteristics

2026-05-05(二),2026-05-08(五)
第 12 週

Long-channel MOSFET surface modulation: I-V under gate and drain modulation

2026-05-12(二),2026-05-15(五)
第 13 週

MOSFET: Important parameter

2026-05-19(二),2026-05-22(五)
第 14 週

Short-channel MOSFETs: DIBL, punch through, Hot carrier, GIDL,.. Advanced MOSFETs I

2026-05-26(二),2026-05-29(五)
第 15 週

Advanced MOSFETs DC BJT operational principles, Hetero-junction bipolar transistors.

2026-06-02(二),2026-06-05(五)
第 16 週

final exam

2026-06-09(二),2026-06-12(五)
教科書

“Advanced Semiconductor Fundamentals” By Robert F. Pierret 1989 “Semiconductor Physics and Devices” By Donald A. Neamen

Office Hours
地點
工四館(ED617)
時間
Tues 10:00-11:00/Fri 09:00-10:00am (please let me know you are coming) or by appointment or if my door is open, stop in and say hi!
聯絡方式
If you need me and cannot find me- email me!