奈米級CMOS晶片製造
Nanoscale CMOS Manufacturing
| 節 | 週四 |
|---|---|
6 14:20–15:10 | 奈米級CMOS晶片製造 ED220（光復） 3 節連堂 |
7 15:30–16:20 | |
8 16:30–17:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
本課程講述先進CMOS積體電路製造技術的演進，及過程中電晶體 微縮所遭遇到的問題，包括短通道效應、熱載子效應、寄生電阻/電容、功率耗損等，以及用來解決這些問題的策略，包括使用製程、材料、設備、與新結構/設計等方法，並講述其基本原理與限制。課程的重點是100奈米以下尺寸製造技術，特別是FinFET與GAA等新式元件結構的應用。從1960第一顆MOSFET問世，1980年CMOS成為主流，到現在進入非平面的元件架構，積體電路製造技術的內涵變化甚鉅，透過此課程的說明分析，搭配相關元件物理與先進製程的介紹，讓修習本課程的學生得以了解技術的發展與走向趨勢。
已修畢半導體元件物理一學期，及修畢或同時選修積體電路製程或同類課程一學期。
無備註
每週三小時教室上課
a、 筆試(兩次期中考、一次期末考): 90% b、 課堂表現: 10%
教師未提供此項資料
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | CMOS Fundamentals: An overview 2026-02-26(四) |
| 第 2 週 | CMOS Fundamentals: Device Scaling Trends and Issues (I) 2026-03-05(四) |
| 第 3 週 | Planar CMOS: Device Scaling Trends and Issues (II) 2026-03-12(四) |
| 第 4 週 | Planar CMOS: Deep Sub-micron Technology 2026-03-19(四) |
| 第 5 週 | Planar CMOS: Nanoscale Technology 2026-03-26(四) |
| 第 6 週 | Midterm I 2026-04-02(四) |
| 第 7 週 | SOI CMOS: An Overview 2026-04-09(四) |
| 第 8 週 | Nanoscale SOI CMOS Technology 2026-04-16(四) |
| 第 9 週 | FinFET Technology: Operation Principles 2026-04-23(四) |
| 第 10 週 | FinFET Technology: Device Fabrication and Structure Evolution 2026-04-30(四) |
| 第 11 週 | FinFET Technology: Scaling Trends and Issues 2026-05-07(四) |
| 第 12 週 | Midterm II 2026-05-14(四) |
| 第 13 週 | FinFET Technology: Practical Manufacturing 2026-05-21(四) |
| 第 14 週 | Gate-all-around Device Technology: Process Integration 2026-05-28(四) |
| 第 15 週 | Gate-all-around Device Technology: Scaling Trends and Issues 2026-06-04(四) |
| 第 16 週 | Final Exam 2026-06-11(四) |
使用自編講義。
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- 第一堂課上課時宣布
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