電子學(一)
ElectronicsⅠ
| 節 | 週二 | 週四 |
|---|---|---|
5 13:20–14:10 | 電子學(一) ED220（光復） 4 節連堂 | 電子學(一) ED220（光復） 4 節連堂 |
6 14:20–15:10 | ||
7 15:30–16:20 | ||
8 16:30–17:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
電子學為電機系最重要的基礎專業科目之一；電子學一主要介紹： (1) 電子元件基本觀念； (2) 二極體元件、雙極性接面電晶體、以及場效應電晶體原理以及電壓與電流特性； (3) 如何分析上述電子元件所組成的電子電路：直流工作點計算以及交流小訊號分析。
教師未提供此項資料
無備註
一、修課同學修此課需要課本；本課程採投影片與黑板教學；建議修課同學課前預習、課後複習與習作 (本課程另安排助教演習課，由助教解說習作題目)。 二、電子學內容甚多且公式繁雜、若僅依課本內容授課將使你誤認為這是極艱深的課程。本課程將會融會電子學之內容而擷取其精華，將不同章節之電路分析方法融合成簡要之技巧、因此上課的內容未必是依電子學章節、同時亦可能未見於任何書中，請務必來上課並聽取內容。 ** T5678R5678；皆在ED220上課。
期中考1 (30分) : Chapter 1(不含§1.7~§1.12)及Chapter2 期中考2 (35分) : Chapter 3(含§1.7~§1.12)及Chapter4 期末考3 (35分) : Chapter 5及Chapter6 註：視教學互動請況，老師保有調整學期作業、考試、評量之權力。
Chapter 2 Operational Amplifiers
介紹理想的訊號運算放大器 及其四則運算
- 講授：
- 8
Chapter 3 PN Junction(§1.7~§1.12) & Diodes
介紹PN Junction以及半導體基礎第一個電子元件-二極體的基本原理、數學模式、分析、以及二極體電路之應用
- 講授：
- 12
Chapter 4 Bipolar Junction Transistors (BJTs)
介紹第一個可以放大訊號的的基本原理、數學模式、以及雙極性接面電晶體電路之分析
- 講授：
- 8
Chapter 5 MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs)
介紹MOS元件-的基本原理、I-V模式、以及金屬氧化物半導體場效應電晶體電路之分析
- 講授：
- 12
Chapter 6 Transistor 介紹電子元件-雙極性接面電
Amplifier 晶體BJT及金屬氧化物半導體場效應電晶體MOS訊號運算放大器電路之分析
- 講授：
- 12
Chapter 1 Electronics and Semiconductors
介紹電子學基本名詞、大小訊號觀念、頻率響應、放大器、
- 講授：
- 12
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | 2026-07-02開始上課 Introduction Signal sources in electronics |
| 第 2 週 | 2 2026-07-07 Four amplifier models 3 2026-07-09 Frequency response of amplifiers |
| 第 3 週 | 4 2026-07-14 Ideal operational amplifiers Inverting and noninverting configurations Difference amplifier 5 2026-07-16 Integrators and differentiators Nonidealities of OPAMP |
| 第 4 週 | 6 2026-07-21 Basic properties of semiconductors PN Junction under open-circuit, reverse-bias, and forward-bias conditions 期中考1 7 2026-07-23 The ideal diodes Limiter Terminal characteristics of junction diodes Diode modeling Voltage regulators |
| 第 5 週 | 8 2026-07-28 Rectifiers and other diode applications 9 2026-07-30 BJT device structure and physical operation I-V characteristics of BJT Early Effect |
| 第 6 週 | 10 2026-08-04 BJT large signal equivalent circuits DC analysis of BJT circuits 11 2026-08-06 MOSFET device structure and physical operation I-V characteristics Channel length modulation and body effects 期中考2 |
| 第 7 週 | 12 2026-08-11 MOSFET device structure and physical operation I-V characteristics Channel length modulation and body effects 13 2026-08-13 MOSFETs circuits at DC Technology Scaling |
| 第 8 週 | 14 2026-08-18 Application of the small signal equivalent circuits in amplfier analysis BJT as a linear amplifier Load line and DC biased point Small signal equivalent circuit model 15 2026-08-20 BJT as a linear amplifier Load line and DC biased point Small signal equivalent circuit model Applying MOSFET in amplifier design |
| 第 9 週 | 16 2026-08-25 Applying MOSFET in amplifier design 期末考 |
1. Sedra / Smith “Microelectronic Circuits” 8th Edition, Oxford University Press, 2020. 2. Lecture notes.(補充筆記將上網、建議可自行彩色列印)
- 地點
- 教師未提供此項資料
- 時間
- 可用老師提供的email 或電話另約師生晤談時間。
- 聯絡方式
- 中央大學合聘教授/鄭國興教授 Email: khchengee@gmail.com