半導體元件物理
Semiconductor Device Physics
| 節 | 週三 | 週四 |
|---|---|---|
2 09:00–09:50 | 半導體元件物理 ED219（光復） 3 節連堂 | |
3 10:10–11:00 | 半導體元件物理 ED219（光復） 2 節連堂 | |
4 11:10–12:00 | ||
5 13:20–14:10 | 半導體元件物理 ED219（光復） 2 節連堂 | |
6 14:20–15:10 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
「半導體元件物理」為半導體專業人才培育之核心基礎課程，旨在建立學生對半導體材料特性、載子傳輸機制與元件運作原理之系統性理解。本課程以固態物理與半導體物理為理論基礎，延伸至各類主流與先進元件之操作機制與電性分析，課程內容將由能帶理論與載子統計出發，逐步推導漂移—擴散機制、Poisson方程與連續方程式，並應用於二極體、MOSFET及BJT元件分析。除理論推導外，亦強調物理模型與實際元件特性之對應關係，使學生能將數學模型轉化為工程直覺與設計能力。
普通物理、微積分、微分方程、電子學、電路學
無備註
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作業+出席20%,期中考40%, 期末考40%
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| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | 7/1 W34 Review of Modern Physics 實體ED219 7/2 R234 Semiconductor Materials, Crystal Structure and Electrical Conduction 實體ED219 |
| 第 2 週 | 7/8 W34 Electron Statistics, Intrinsic Semiconductor 實體ED219 7/9 R234 Extrinsic Semiconductors, Carrier Transport Phenomena 實體ED219 |
| 第 3 週 | 7/15 W34 Carrier Transport Phenomena 實體ED219 7/16 R234 Carrier generation and recombination 實體ED219 |
| 第 4 週 | 7/22 W3456 Carrier Flow , Metal-Semiconductor Junction 實體ED219 7/23 R234 Metal-Semiconductor Junction, p-n Junction 實體ED219 |
| 第 5 週 | 7/29 W3456 期中考 實體ED219 7/30 R234 p-n Junction 實體ED219 |
| 第 6 週 | 8/5 W3456 Bipolar Junction Transistors(I) 線上 8/6 R234 Bipolar Junction Transistors(II) 線上 |
| 第 7 週 | 8/12 W3456 Metal-Oxide-Semiconductor Structure; MOS Capacitors 線上 8/13 R234 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (I) 線上 |
| 第 8 週 | 8/19 W3456 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (II) 線上 8/20 R234 期末考 實體 ED219 |
Semiconductor Physics and Devices, Donald A. Neaman, 4th Edition, McGraw Hill
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