碳化矽製程技術
SiC Process Technology
| 節 | 週二 | 週四 |
|---|---|---|
3 10:10–11:00 | 碳化矽製程技術 ED103（光復） 2 節連堂 | 碳化矽製程技術 ED103（光復） 2 節連堂 |
4 11:10–12:00 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
本課程講述碳化矽晶體成長技術、磊晶技術、清洗製程、氧化製程、摻雜製程、微影製程、蝕刻製程、薄膜沈積製程等，並包含潔淨室環境、實驗室安全等知識。內容強調碳化矽製程與常用矽製程之差異，讓學生了解製作碳化矽高功率半導體元件及積體電路的製程技術。
建議已修畢或同時選修半導體元件物理或類似課程一學期，有助於吸收課程內容
無備註
每週兩次課，每次兩小時，講授製程原理。 課程講義最遲會在上課前一天上傳到ftp站，請自行下載。 IP: 140.113.225.88 ID: student Password: student Port: 54112 Dir://課程資料(student)/SiC Process
期中考: 40%，期末考：60%。
教師未提供此項資料
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Introduction to SiC SiC Crystal Growth & Epitaxy Technology 2026-06-30(二),2026-07-02(四) |
| 第 2 週 | SiC Crystal Growth & Epitaxy Technology Thin Film Deposition Process 2026-07-07(二),2026-07-09(四) |
| 第 3 週 | Thin Film Deposition Process 2026-07-14(二),2026-07-16(四) |
| 第 4 週 | Lithography Process 2026-07-21(二),2026-07-23(四) |
| 第 5 週 | Mid-term examination SiC Etching Process 2026-07-28(二),2026-07-30(四) |
| 第 6 週 | SiC Etching Process SiC Oxidation Process 2026-08-04(二),2026-08-06(四) |
| 第 7 週 | SiC Oxidation Process 2026-08-11(二),2026-08-13(四) |
| 第 8 週 | SiC Doping Process 2026-08-18(二),2026-08-20(四) |
| 第 9 週 | SiC Doping Process Final Examination 2026-08-25(二),2026-08-27(四) |
使用自編講義。 建議參考書籍： Process Technology for Silicon Carbide Devices, Edited by C. M. Zetterling, INSPEC, 2002. Fundamentals of Silicon Carbide Technology – Growth, Characterization, Devices, and Applications, by Kimoto and J. A. Cooper, Wiley, 2014. S. M. Sze, “Semiconductor Devices Physics and Technology”, 2nd Ed., 2002, J. Wiley & Sons Inc.
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- e-mail: bytsui@nycu.edu.tw Tel: 03-5131570