碳化矽製程實驗

SiC Process Laboratory

學期

114-X

學分

1 學分

當期課號

535201

永久課號

EEIE30040

開課單位

電子研究所

授課教師

崔秉鉞

類別

選修

上課時間表

* 根據陽明交大上課時間表所列

概述

本課程進行晶片清洗、氧化、微影、蝕刻、擴散、薄膜沉積、MOS電容製作、蕭特基接面製作，包含潔淨室環境、實驗室安全等知識，以及基本元件的電性分析。藉由實際操作，使學生了解在潔淨室中工作注意事項、培養正確的安全衛生防護觀念、以及具備碳化矽製程機台的操作能力。

先修科目

a、學生必須以修畢或同時選修「碳化矽製程技術」，了解製程原理。 b、本實驗課限額15人，修課資格由開課老師自選修「碳化矽製程技術」的學生中，根據未來研究和碳化矽的關係遠近決定。

備註

無備註

教學方式

實作教學由助教示範後，督導學生親自製作MOS電容及蕭特基接面，並進行電性測量。

評分方式

Equipment operation - 70% Final report - 30%

課程大綱

教師未提供此項資料

週次計畫

週次	主題
第 1 週	Clean room environment & Introduction to Nano Facility Center and Semiconductor Lab 2026-07-01(三)
第 2 週	Safety precautions & 1st written examination: Safety precautions 2026-07-08(三)
第 3 週	FOX deposition 2026-07-15(三)
第 4 週	1st Lithography process & Active area etching 2026-07-22(三)
第 5 週	MOS gate oxidation 2026-07-29(三)
第 6 週	MOS gate electrode & SBD metal deposition 2026-08-05(三)
第 7 週	2nd Lithography process & metal pad etching 2026-08-12(三)
第 8 週	Backside metal deposition &Electrical measurement 2026-08-19(三)
第 9 週	Electrical measurement & Final report 2026-08-26(三)

教科書

使用自編講義。

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