薄膜工程
Thin Film Engineering
學期
115-1
學分
3
學分
當期課號
536311
永久課號
ENMS30062
開課單位
前瞻半導體研究所、材料科學與工程學系
授課教師
立、張
校區
光復
類別
選修
上課時間表
| 節 | 週三 |
|---|---|
7 15:30–16:20 | 薄膜工程 EF205（光復） 3 節連堂 |
8 16:30–17:20 | |
9 17:30–18:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
概述
薄膜之結構,製備之方法及原理,包含電漿、物理氣相沉積 (PVD) 以及化學氣相沉積 (CVD),並介紹薄膜之成核,成長與薄膜微結構分析,半導體磊晶成長,另外對薄膜之固態反應以及可靠度問題也將做相關介紹,從基礎學理到技術應用,使學生充分了解薄膜材料科學與工程。
先修科目
普通物理、普通化學、材料科學導論、物理冶金、熱力學
備註
無備註
教學方式
教學以投影片為主,黑板手寫為輔,並有課程助教,課程講亦將上傳於實驗室網站或學校e3平台供學生下載
評分方式
期中考: 40% 期末考: 40% 報告: 20%
課程大綱
教師未提供此項資料
週次計畫
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | 薄膜工程簡介及氣體動力學 2026-09-09(三) |
| 第 2 週 | 真空特徵 2026-09-16(三) |
| 第 3 週 | 物理氣相沉積:蒸鍍、 熱蒸鍍、電子束蒸鍍 2026-09-23(三) |
| 第 4 週 | 電漿定義與特徵 2026-09-30(三) |
| 第 5 週 | 電漿特徵 2026-10-07(三) |
| 第 6 週 | 濺射 2026-10-14(三) |
| 第 7 週 | 濺鍍 DC sputtering/RF sputtering 磁控濺鍍 2026-10-21(三) |
| 第 8 週 | 濺鍍 Reactive sputtering HiPIMS 2026-10-28(三) |
| 第 9 週 | 期中考 2026-11-04(三) |
| 第 10 週 | 化學氣相沉積 (CVD) 化學反應 2026-11-11(三) |
| 第 11 週 | 化學氣相沉積 (CVD) - 氣流 2026-11-18(三) |
| 第 12 週 | 電漿輔助PECVD、金屬有機MOCVD、原子層沉積ALD區域選擇沉積(area selctive deposition, ASD) 2026-11-25(三) |
| 第 13 週 | 基板表面結構與特徵 薄膜之成核與成長 2026-12-02(三) |
| 第 14 週 | 磊晶製程 2026-12-09(三) |
| 第 15 週 | 多晶薄膜之微結構 2026-12-16(三) |
| 第 16 週 | 期末考 2026-12-23(三) |
教科書
Materials Science of Thin Films, 2nd edition, 2002 Ohring King-Ning Tu, "Electronic Thin Film Reliability", Cambridge University Press, 2010.
Office Hours
- 地點
- 工程六館327室
- 時間
- 每週一四下午三點到五點
- 聯絡方式
- E-mail: lichang@.nycu.edu.tw 分機: 31615